Mittelgeber :
Forschungsbericht : 1994-1996
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Kontrast und Auflösung rasterelektronenmikroskopischer Aufnahmen werden in entscheidendem Maß durch das vom Sekundärelektronen- resp. Rückstreudetektor erfasste Wechselwirkungsvolumen der Primärelektronen mit dem Objekt beeinflußt. Mittels der Kombination eines Rasterelektronen- und eines Elektronenemissionsmikroskops wurden die von den ins Objekt eindringenden und von den Rückstreuelektronen ausgelösten Sekundärelektronen quantitativ nachgewiesen. Diese Methode erlaubt es den Kontrast komplizierter Strukturen quantitativ zu verstehen.
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qvf-info@uni-tuebingen.de(qvf-info@uni-tuebingen.de) - Stand: 30.11.96